- Bạn vui lòng tham khảo Thỏa Thuận Sử Dụng của Thư Viện Số
Tài liệu Thư viện số
Danh mục TaiLieu.VN
Màng SnO2 pha tạp Ga (GTO) được chế tạo từ bia gốm hỗn hợp (SnO2 + Ga2O3) bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong khí nền Ar ở áp suất 4.10-3 torr. Ảnh nhiễu xạ tia X (XRD), phương pháp đo Hall Van Der Pauw và phổ truyền qua UV- Vis được sử dụng để khảo sát đặc trưng của màng. Mời các bạn cùng tham khảo kết quả nghiên cứu.
10 p husc 24/07/2017 225 1
Từ khóa: Phún xạ magnetron DC, Màng dẫn điện trong suốt SnO2:Ga, Màng dẫn điện, Phương pháp phún xạ magnetron DC, Phương pháp phún xạ, Ảnh nhiễu xạ tia X
Đăng nhập
Bộ sưu tập nổi bật
17 13597
Bộ sưu tập tài liệu Toán học hay
24 7801
Tuyển tập tác phẩm văn học hay
15 7856
Tin nhanh
Công bố quyết định bổ nhiệm Phó Hiệu trưởng nhiệm kỳ 2009 – 2014.
Hội Cựu giáo chức Trường Đại học Khoa học Huế: Gặp mặt đầu năm Xuân Nhâm Thìn 2012.
Lễ kỷ niệm 82 năm thành lập Đảng Cộng Sản Việt Nam (3/2/1930 – 3/2/2012)
Gặp mặt chúc Tết cán bộ của Trường nghỉ hưu tại Huế nhân dịp Tết Nhâm Thìn 2012.