Thiết kế bộ ghép kênh kết hợp hai bước sóng và hai mode trên cùng một chip quang tử silicon

Bài viết đề xuất một thiết bị có khả năng kết hợp đồng thời hai kỹ thuật ghép kênh theo bước sóng (WDM) và ghép kênh theo mode (MDM) dựa trên nền vật liệu SOI (Silicon on Insulator). Cấu trúc thiết kế này mở ra một hướng nghiên cứu mới kết hợp giữa kỹ thuật WDM và MDM để tăng dung lượng kênh truyền cho hệ thống thông tin quang trên chip.